Diodes Inc MMBT5401-7-F PNP Transistor, -600 mA, -150 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 751-4512Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: MMBT5401-7-F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

150 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-160 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Максимальная рабочая частота

300 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Small Signal PNP Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 470,00

тг 17,88 Each (In a Pack of 250) (ex VAT)

Diodes Inc MMBT5401-7-F PNP Transistor, -600 mA, -150 V, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

тг 4 470,00

тг 17,88 Each (In a Pack of 250) (ex VAT)

Diodes Inc MMBT5401-7-F PNP Transistor, -600 mA, -150 V, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
250 - 1250тг 17,88тг 4 470,00
1500 - 2750тг 13,41тг 3 352,50
3000 - 5750тг 8,94тг 2 235,00
6000 - 11750тг 8,94тг 2 235,00
12000+тг 8,94тг 2 235,00

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

150 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-160 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Максимальная рабочая частота

300 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Small Signal PNP Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc