Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
DFN-1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.07 x 0.67 x 0.48мм
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
DFN-1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.07 x 0.67 x 0.48мм
Информация о товаре