Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
180 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
180 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,25 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.1мкА
Высота
1.65мм
Ширина
3.55мм
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
180 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
180 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,25 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.1мкА
Высота
1.65мм
Ширина
3.55мм
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре