Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
2000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.95 V
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.13 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Высота
1.65мм
Ширина
3.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
2000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.95 V
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.13 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Высота
1.65мм
Ширина
3.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре