Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
140 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
160 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.2 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Длина
6.55мм
Высота
1.65мм
Ширина
3.55мм
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
140 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
160 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.2 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Длина
6.55мм
Высота
1.65мм
Ширина
3.55мм
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
