Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
900 mA
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.65 V
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.96 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.05мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Размеры
3.05 x 1.4 x 1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
900 mA
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.65 V
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.96 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.05мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Размеры
3.05 x 1.4 x 1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
