Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
75 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.02 x 3.04 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
75 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.02 x 3.04 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре