Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,8 В
Максимальное напряжение коллектор-база
140 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Высота
1.6мм
Ширина
2.6мм
Максимальное рассеяние мощности
2,8 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,8 В
Максимальное напряжение коллектор-база
140 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Высота
1.6мм
Ширина
2.6мм
Максимальное рассеяние мощности
2,8 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре