Diodes Inc Dual P-Channel MOSFET, 3.7 A, 40 V, 8-Pin SOIC DMP4047SSD-13

Код товара RS: 827-0516Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP4047SSD-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

21,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

тг 2 547,90

тг 254,79 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Diodes Inc Dual P-Channel MOSFET, 3.7 A, 40 V, 8-Pin SOIC DMP4047SSD-13
Select packaging type

тг 2 547,90

тг 254,79 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Diodes Inc Dual P-Channel MOSFET, 3.7 A, 40 V, 8-Pin SOIC DMP4047SSD-13

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 254,79тг 2 547,90
50 - 90тг 223,50тг 2 235,00
100 - 240тг 178,80тг 1 788,00
250 - 490тг 156,45тг 1 564,50
500+тг 143,04тг 1 430,40

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

21,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.