Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
55 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
21,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
4.95мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 2 547,90
тг 254,79 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 547,90
тг 254,79 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 254,79 | тг 2 547,90 |
| 50 - 90 | тг 223,50 | тг 2 235,00 |
| 100 - 240 | тг 178,80 | тг 1 788,00 |
| 250 - 490 | тг 156,45 | тг 1 564,50 |
| 500+ | тг 143,04 | тг 1 430,40 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
55 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
21,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
4.95мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
