Diodes Inc P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMP31D0UFB4-7B

Код товара RS: 770-5171PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP31D0UFB4-7B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

760 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

920 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.08мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,5 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

0.675мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMP31D0UFB4-7B
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMP31D0UFB4-7B

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

760 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

X2-DFN1006

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

920 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.08мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,5 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

0.675мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.35мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.