Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
X2-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
920 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.08мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,5 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
0.675мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
760 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
X2-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
920 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.08мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,5 нКл при 8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
0.675мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
