Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
2,03 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
2.05мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14,4 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.58мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Максимальное рассеяние мощности
2,03 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
2.05мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14,4 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.58мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
