Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 280 mA, 50 V, 6-Pin SOT-563 DMN5L06VAK-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
280 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В, +40 В
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 5 811,00
тг 116,22 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 5 811,00
тг 116,22 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 116,22 | тг 5 811,00 |
| 250 - 700 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
| 750 - 1450 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
| 1500 - 2950 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
| 3000+ | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
280 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В, +40 В
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре