Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
