Diodes Inc N-Channel MOSFET, 300 mA, 30 V, 3-Pin DFN DMN32D2LFB4-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
0.65мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 4 917,00
тг 98,34 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 917,00
тг 98,34 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 98,34 | тг 4 917,00 |
| 250 - 700 | тг 75,99 | тг 3 799,50 |
| 750 - 1450 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
| 1500 - 2950 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 3000+ | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
0.65мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.35мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре