Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 6-Pin SOT-26 DMN2215UDM-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
215 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
650 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
3.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 3 687,75
тг 147,51 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 687,75
тг 147,51 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 147,51 | тг 3 687,75 |
| 125 - 725 | тг 89,40 | тг 2 235,00 |
| 750 - 1475 | тг 89,40 | тг 2 235,00 |
| 1500 - 2975 | тг 67,05 | тг 1 676,25 |
| 3000+ | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
215 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
650 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
3.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре