Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,9 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,7 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 5 364,00
тг 107,28 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 5 364,00
тг 107,28 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 107,28 | тг 5 364,00 |
| 250 - 700 | тг 75,99 | тг 3 799,50 |
| 750 - 1450 | тг 62,58 | тг 3 129,00 |
| 1500 - 2950 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
| 3000+ | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,9 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,7 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре
