Diodes Inc N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 6-Pin TSOT-26 DMG6402LVT-7
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
TSOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,4 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 3 576,00
тг 71,52 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 3 576,00
тг 71,52 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
| 250 - 450 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
| 500 - 1200 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
| 1250 - 2450 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
| 2500+ | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
TSOT-26
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,4 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре