DiodesZetex DMG1012T-7 MOSFET

Код товара RS: 751-4064Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMG1012T-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

630 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

280 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Типичный заряд затвора при Vgs

0,737 нКл при 4,5 В

Ширина

0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

тг 3 129,00

тг 31,29 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

DiodesZetex DMG1012T-7 MOSFET
Select packaging type

тг 3 129,00

тг 31,29 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

DiodesZetex DMG1012T-7 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
100 - 400тг 31,29тг 3 129,00
500 - 900тг 26,82тг 2 682,00
1000 - 2900тг 22,35тг 2 235,00
3000 - 5900тг 17,88тг 1 788,00
6000+тг 17,88тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

630 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

280 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Типичный заряд затвора при Vgs

0,737 нКл при 4,5 В

Ширина

0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.