Dual N/P-Channel MOSFET, 110 mA, 130 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS8402DW-7-F
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
110 мА, 130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В, 60 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω, 13,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 2 905,50
тг 116,22 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 905,50
тг 116,22 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 116,22 | тг 2 905,50 |
| 125 - 225 | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
| 250 - 475 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
| 500 - 1225 | тг 71,52 | тг 1 788,00 |
| 1250+ | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
110 мА, 130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В, 60 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω, 13,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре