Diodes Inc BCV47TA NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 751-3531Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: BCV47TA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Высота

1.1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 576,00

тг 35,76 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Diodes Inc BCV47TA NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

тг 3 576,00

тг 35,76 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Diodes Inc BCV47TA NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
100 - 400тг 35,76тг 3 576,00
500 - 900тг 35,76тг 3 576,00
1000 - 2900тг 22,35тг 2 235,00
3000 - 5900тг 17,88тг 1 788,00
6000+тг 17,88тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Высота

1.1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc