Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
X2-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
X2-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре