Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
600мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
5.5A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 3 129,00
тг 156,45 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 3 129,00
тг 156,45 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
20 - 80 | тг 156,45 | тг 3 129,00 |
100 - 280 | тг 98,34 | тг 1 966,80 |
300 - 1480 | тг 98,34 | тг 1 966,80 |
1500 - 2980 | тг 75,99 | тг 1 519,80 |
3000+ | тг 67,05 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
600мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
5.5A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.