Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
70mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
70V
Конфигурация диода
Общий анод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
5нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100mA
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 1 899,75
тг 75,99 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 1 899,75
тг 75,99 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
25 - 100 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
125 - 725 | тг 31,29 | тг 782,25 |
750 - 1475 | тг 31,29 | тг 782,25 |
1500 - 2975 | тг 26,82 | тг 670,50 |
3000+ | тг 13,41 | тг 335,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток
70mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
70V
Конфигурация диода
Общий анод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
5нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100mA
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.