Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AB (SMC)
Максимальный непрерывный прямой ток
3A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
790мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 290,55
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 290,55
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 290,55 | тг 2 905,50 |
50 - 240 | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
250 - 990 | тг 160,92 | тг 1 609,20 |
1000 - 2990 | тг 98,34 | тг 983,40 |
3000+ | тг 93,87 | тг 938,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AB (SMC)
Максимальный непрерывный прямой ток
3A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
790мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.