Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AA (SMB)
Максимальный непрерывный прямой ток
2A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
80V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
790мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
50A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 1 206,90
тг 120,69 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 206,90
тг 120,69 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
10 - 40 | тг 120,69 | тг 1 206,90 |
50 - 240 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
250 - 990 | тг 75,99 | тг 759,90 |
1000 - 2990 | тг 71,52 | тг 715,20 |
3000+ | тг 71,52 | тг 715,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AA (SMB)
Максимальный непрерывный прямой ток
2A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
80V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
790мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
50A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.