DiodesZetex APT13005TF-G1 Высоковольтный биполярный транзистор

Код товара RS: 828-3339Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: APT13005TF-G1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

700 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

10 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Максимальная рабочая частота

4 МГц (мин.)

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.3 x 4.9 x 16мм

Информация о товаре

High Voltage Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FJPF5027OTU Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
ON Semiconductor MJF15030G Транзистор
тг 607,92Each (ex VAT)
onsemi MJF31CG NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP
тг 473,82Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
ON Semiconductor KSD2012GTU Транзистор
тг 178,80Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

тг 4 581,75

тг 183,27 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

DiodesZetex APT13005TF-G1 Высоковольтный биполярный транзистор
Select packaging type

тг 4 581,75

тг 183,27 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

DiodesZetex APT13005TF-G1 Высоковольтный биполярный транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 183,27тг 4 581,75
125 - 225тг 160,92тг 4 023,00
250 - 600тг 143,04тг 3 576,00
625 - 1225тг 120,69тг 3 017,25
1250+тг 116,22тг 2 905,50
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FJPF5027OTU Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
ON Semiconductor MJF15030G Транзистор
тг 607,92Each (ex VAT)
onsemi MJF31CG NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP
тг 473,82Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
ON Semiconductor KSD2012GTU Транзистор
тг 178,80Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

700 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

10 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Максимальная рабочая частота

4 МГц (мин.)

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.3 x 4.9 x 16мм

Информация о товаре

High Voltage Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FJPF5027OTU Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
ON Semiconductor MJF15030G Транзистор
тг 607,92Each (ex VAT)
onsemi MJF31CG NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP
тг 473,82Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
ON Semiconductor KSD2012GTU Транзистор
тг 178,80Each (In a Tube of 50) (ex VAT)