Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
10 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Максимальная рабочая частота
4 МГц (мин.)
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.3 x 4.9 x 16мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
25
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
10 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Максимальная рабочая частота
4 МГц (мин.)
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.3 x 4.9 x 16мм
Информация о товаре