Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Максимальная рабочая частота
4 МГц (мин.)
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.7 x 3.7 x 4.7мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Максимальная рабочая частота
4 МГц (мин.)
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.7 x 3.7 x 4.7мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре