DiodesZetex APT13003LZTR-G1 Биполярный транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.7 x 3.7 x 4.7мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
тг 3 129,00
тг 31,29 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 3 129,00
тг 31,29 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 100 - 400 | тг 31,29 | тг 3 129,00 |
| 500 - 900 | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
| 1000 - 2400 | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
| 2500 - 4900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 5000+ | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.7 x 3.7 x 4.7мм
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc