Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-323
Максимальный непрерывный прямой ток
15mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
70V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Малый сигнал
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
1нс
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 4 693,50
тг 93,87 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 693,50
тг 93,87 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 200 | тг 93,87 | тг 4 693,50 |
250 - 450 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
500 - 1450 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
1500 - 2950 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
3000+ | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-323
Максимальный непрерывный прямой ток
15mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
70V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Малый сигнал
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковое время обратного восстановления
1нс
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.