F-RAM Memory 1Mb 128Kx8 3V 60ns TSOP32
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128к x 8 бит
Тип интерфейса
Параллельный
Максимальное время произвольного доступа
60нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество бит на слово
8бит
Количество слов
128K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2 В
Информация о товаре
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128к x 8 бит
Тип интерфейса
Параллельный
Максимальное время произвольного доступа
60нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество бит на слово
8бит
Количество слов
128K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2 В
Информация о товаре
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.