Cypress Semiconductor FM28V020-TG FRAM-память

Код товара RS: 125-4230Бренд: Cypress SemiconductorПарт-номер производителя: FM28V020-TG
brand-logo
View all in Память FRAM

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

256Кбит

Организация

32К x 8 бит

Тип интерфейса

Параллельный

Максимальное время произвольного доступа

70нс

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Число контактов

32

Размеры

11.9 x 8.1 x 1.05мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Количество слов

32K

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2 В

Количество бит на слово

8бит

Информация о товаре

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor FM28V020-TG FRAM-память
Select packaging type

P.O.A.

Cypress Semiconductor FM28V020-TG FRAM-память
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

256Кбит

Организация

32К x 8 бит

Тип интерфейса

Параллельный

Максимальное время произвольного доступа

70нс

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Число контактов

32

Размеры

11.9 x 8.1 x 1.05мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Количество слов

32K

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2 В

Количество бит на слово

8бит

Информация о товаре

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.