Infineon 256kbit Parallel FRAM Memory 28-Pin SOIC, FM28V020-SG
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Тип интерфейса
Параллельный
Ширина шины данных
8бит
Максимальное время произвольного доступа
70нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
28
Размеры
18.11 x 7.62 x 2.37мм
Длина
18.11мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
7.62мм
Высота
2.37мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
32K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Минимальное рабочее напряжение питания
2 В
Информация о товаре
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
тг 5 627,73
тг 5 627,73 Each (ex VAT)
1
тг 5 627,73
тг 5 627,73 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 5 627,73 |
| 2 - 4 | тг 5 515,98 |
| 5 - 9 | тг 5 408,70 |
| 10 - 26 | тг 5 010,87 |
| 27+ | тг 4 881,24 |
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Тип интерфейса
Параллельный
Ширина шины данных
8бит
Максимальное время произвольного доступа
70нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
28
Размеры
18.11 x 7.62 x 2.37мм
Длина
18.11мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
7.62мм
Высота
2.37мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
32K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Минимальное рабочее напряжение питания
2 В
Информация о товаре
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.