Cypress Semiconductor FM25W256-G FRAM-память
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Тип интерфейса
SPI
Ширина шины данных
8бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
4.978 x 3.987 x 1.478мм
Длина
4.98мм
Ширина
3.987мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
1.478мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Количество слов
32K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 4 514,70
тг 2 257,35 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
тг 4 514,70
тг 2 257,35 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 2 257,35 | тг 4 514,70 |
| 10 - 18 | тг 2 096,43 | тг 4 192,86 |
| 20 - 68 | тг 2 056,20 | тг 4 112,40 |
| 70 - 138 | тг 1 953,39 | тг 3 906,78 |
| 140+ | тг 1 850,58 | тг 3 701,16 |
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Тип интерфейса
SPI
Ширина шины данных
8бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
4.978 x 3.987 x 1.478мм
Длина
4.98мм
Ширина
3.987мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
1.478мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Количество слов
32K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.