Cypress Semiconductor FM25V05-G FRAM-память
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
512Кбит
Организация
64К x 8 бит
Тип интерфейса
SPI
Ширина шины данных
8бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
4.978 x 3.987 x 1.478мм
Длина
4.98мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
3.987мм
Высота
1.478мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
64K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Минимальное рабочее напряжение питания
2 В
Информация о товаре
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
тг 4 711,38
тг 4 711,38 Each (ex VAT)
1
тг 4 711,38
тг 4 711,38 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 4 711,38 |
| 10 - 24 | тг 4 371,66 |
| 25 - 44 | тг 4 335,90 |
| 45 - 96 | тг 4 250,97 |
| 97+ | тг 3 987,24 |
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
512Кбит
Организация
64К x 8 бит
Тип интерфейса
SPI
Ширина шины данных
8бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
4.978 x 3.987 x 1.478мм
Длина
4.98мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
3.987мм
Высота
1.478мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
64K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Минимальное рабочее напряжение питания
2 В
Информация о товаре
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.