FRAM 64kbit serial 20MHz SPI 3V TDFN8
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
64Кбит
Организация
8192 x 8-разрядный
Тип интерфейса
SPI
Ширина шины данных
8бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
TDFN
Число контактов
8
Размеры
4.5 x 4 x 0.75мм
Длина
4.5мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,65 В
Ширина
4мм
Высота
0.75мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
8192
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Информация о товаре
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
тг 1 372,29
тг 1 372,29 Each (ex VAT)
1
тг 1 372,29
тг 1 372,29 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 1 372,29 |
| 5 - 9 | тг 1 363,35 |
| 10 - 24 | тг 1 202,43 |
| 25 - 49 | тг 1 113,03 |
| 50+ | тг 1 037,04 |
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
64Кбит
Организация
8192 x 8-разрядный
Тип интерфейса
SPI
Ширина шины данных
8бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
TDFN
Число контактов
8
Размеры
4.5 x 4 x 0.75мм
Длина
4.5мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,65 В
Ширина
4мм
Высота
0.75мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
8192
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Информация о товаре
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.