Cypress Semiconductor FM24CL64B-GA FRAM-память
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
64Кбит
Организация
8К x 8 бит
Тип интерфейса
Последовательный, 2-проводной; последовательный, I2C
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
4.97 x 3.98 x 1.48мм
Длина
4.97мм
Ширина
3.98мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.48мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Количество слов
8K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Количество бит на слово
8бит
Информация о товаре
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
64Кбит
Организация
8К x 8 бит
Тип интерфейса
Последовательный, 2-проводной; последовательный, I2C
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
4.97 x 3.98 x 1.48мм
Длина
4.97мм
Ширина
3.98мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.48мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Количество слов
8K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Количество бит на слово
8бит
Информация о товаре
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.