Cypress Semiconductor FM24CL04B-G FRAM-память

Код товара RS: 125-4210Бренд: Cypress SemiconductorПарт-номер производителя: FM24CL04B-G
brand-logo
View all in Память FRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

4Кбит

Организация

512 x 8 bit

Тип интерфейса

Последовательный, 2-проводной; последовательный, I2C

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

8

Размеры

4.97 x 3.98 x 1.48мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,65 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Количество слов

512

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Количество бит на слово

8бит

Информация о товаре

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor FM24CL04B-G FRAM-память
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor FM24CL04B-G FRAM-память
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

4Кбит

Организация

512 x 8 bit

Тип интерфейса

Последовательный, 2-проводной; последовательный, I2C

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

8

Размеры

4.97 x 3.98 x 1.48мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,65 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Количество слов

512

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Количество бит на слово

8бит

Информация о товаре

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.