Cypress Semiconductor FM22L16-55-TG FRAM-память
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
256К x 16 бит
Тип интерфейса
Параллельный
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Количество бит на слово
16бит
Количество слов
256K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
135
P.O.A.
135
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
256К x 16 бит
Тип интерфейса
Параллельный
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Количество бит на слово
16бит
Количество слов
256K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.