Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Тип интерфейса
Параллельный
Ширина шины данных
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
32
Размеры
20.87 x 7.59 x 2.28мм
Длина
20.87мм
Ширина
7.59мм
Высота
2.28мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
32k
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Количество бит на слово
8бит
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Тип интерфейса
Параллельный
Ширина шины данных
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
32
Размеры
20.87 x 7.59 x 2.28мм
Длина
20.87мм
Ширина
7.59мм
Высота
2.28мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
32k
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Количество бит на слово
8бит
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).