Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

Код товара RS: 253-3509Бренд: BournsПарт-номер производителя: BIDW50N65T
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Bourns

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

416 W

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Конфигурация

Одиночный диод

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

Информация о наличии не успела загрузиться

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Bourns

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

416 W

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Конфигурация

Одиночный диод