Analog Devices HMC580ST89E Радиочастотный усилитель
Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
MMIC (интегральная схема миллиметрового диапазона)
Типичный коэффициент усиления по мощности
22 дБ
Типичная выходная мощность
22дБм
Типичный шум-фактор
2.8дБ
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
1 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-89
Число контактов
3
Размеры
4.6 x 2.59 x 1.6мм
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Серия
Hittite
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
5 В
Ширина
2.59мм
Информация о товаре
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 8 | P.O.A. |
| 10 - 98 | P.O.A. |
| 100 - 248 | P.O.A. |
| 250 - 498 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
MMIC (интегральная схема миллиметрового диапазона)
Типичный коэффициент усиления по мощности
22 дБ
Типичная выходная мощность
22дБм
Типичный шум-фактор
2.8дБ
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
1 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-89
Число контактов
3
Размеры
4.6 x 2.59 x 1.6мм
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Серия
Hittite
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
5 В
Ширина
2.59мм
Информация о товаре
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.