Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
Мощность
Типичный коэффициент усиления по мощности
17 дБ
Типичная выходная мощность
20дБм
Типичный шум-фактор
4.5дБ
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
18 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMT
Число контактов
12
Размеры
3 x 3 x 0.92мм
Высота
0.92мм
Длина
3мм
Серия
Hittite
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
5 В
Ширина
3мм
Информация о товаре
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 4 | P.O.A. |
5 - 9 | P.O.A. |
10 - 24 | P.O.A. |
25 - 49 | P.O.A. |
50+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
Мощность
Типичный коэффициент усиления по мощности
17 дБ
Типичная выходная мощность
20дБм
Типичный шум-фактор
4.5дБ
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
18 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMT
Число контактов
12
Размеры
3 x 3 x 0.92мм
Высота
0.92мм
Длина
3мм
Серия
Hittite
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
5 В
Ширина
3мм
Информация о товаре
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.