Analog Devices HMC430LP4E Радиочастотный усилитель
Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
Малошумность
Типичная выходная мощность
2дБм
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
5,5 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMT
Число контактов
24
Размеры
4.1 x 4.1 x 1мм
Высота
1мм
Длина
4.1мм
Ширина
4.1мм
Серия
Hittite
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
3 В
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
Малошумность
Типичная выходная мощность
2дБм
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
5,5 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMT
Число контактов
24
Размеры
4.1 x 4.1 x 1мм
Высота
1мм
Длина
4.1мм
Ширина
4.1мм
Серия
Hittite
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
3 В
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.