Analog Devices HMC326MS8GE Радиочастотный усилитель
Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
MMIC (интегральная схема миллиметрового диапазона)
Типичный коэффициент усиления по мощности
21 dB
Типичная выходная мощность
23.5дБм
Типичный шум-фактор
5дБ
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
4,5 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
MSOP
Число контактов
8
Размеры
3.1 x 3.1 x 0.95мм
Высота
0.95мм
Длина
3.1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5 В
Ширина
3.1мм
Серия
Hittite
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
MMIC (интегральная схема миллиметрового диапазона)
Типичный коэффициент усиления по мощности
21 dB
Типичная выходная мощность
23.5дБм
Типичный шум-фактор
5дБ
Количество каналов на ИС
1
Максимальная рабочая частота
4,5 ГГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
MSOP
Число контактов
8
Размеры
3.1 x 3.1 x 0.95мм
Высота
0.95мм
Длина
3.1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5 В
Ширина
3.1мм
Серия
Hittite
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.