Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
Стабилизированный вибропреобразователь
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Одинарный
Количество каналов на ИС
1
Число контактов
8
Типичное одиночное напряжение питания
3 В
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
1.5МГц
Типичная скорость нарастания
0.4В/мкс
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Полный размах напряжений
Ввод/вывод полного размаха напряжений
Типичное усиление по напряжению
145 дБ
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4мм
Информация о товаре
Zero-Drift Amplifiers, Analog Devices
The zero-drift amplifiers continuously self-correct for dc errors over time and temperature. Auto-zero and a chopper are combined to enable the amplifier to achieve microvolt-offsets and nanovolts per degree Celsius drift.
Operational Amplifiers, Analog Devices
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
Analog DevicesТип усилителя
Стабилизированный вибропреобразователь
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Тип источника питания
Одинарный
Количество каналов на ИС
1
Число контактов
8
Типичное одиночное напряжение питания
3 В
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
1.5МГц
Типичная скорость нарастания
0.4В/мкс
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Полный размах напряжений
Ввод/вывод полного размаха напряжений
Типичное усиление по напряжению
145 дБ
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4мм
Информация о товаре
Zero-Drift Amplifiers, Analog Devices
The zero-drift amplifiers continuously self-correct for dc errors over time and temperature. Auto-zero and a chopper are combined to enable the amplifier to achieve microvolt-offsets and nanovolts per degree Celsius drift.
