OSRAM Opto Semiconductors SFH 3710-2/3-Z Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
350мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
2.1 x 1.35 x 0.9мм
Ток коллектора
20mA
Максимальная определяемая длина волны
950нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 950 нм
Высота
0.9мм
Длина
2.1мм
Ширина
1.35мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
тг 2 458,50
тг 245,85 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
тг 2 458,50
тг 245,85 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 10 | тг 245,85 | тг 2 458,50 |
| 20 - 40 | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
| 50 - 90 | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
| 100 - 490 | тг 165,39 | тг 1 653,90 |
| 500+ | тг 147,51 | тг 1 475,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
350мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
2.1 x 1.35 x 0.9мм
Ток коллектора
20mA
Максимальная определяемая длина волны
950нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 950 нм
Высота
0.9мм
Длина
2.1мм
Ширина
1.35мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors