OSRAM Opto Semiconductors SFH 3410-Z Фототранзистор

Код товара RS: 912-8299Бренд: ams OSRAMПарт-номер производителя: SFH 3410-Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Spectrums Detected

Infrared

Обнаруженные спектры

Инфракрасный

Максимальный темновой ток

50нА

Угол половинной чувствительности

±60 °

Полярность

NPN

Количество контактов

3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Smart DIL

Размеры

2.7 x 2.1 x 1.05мм

Ток коллектора

20mA

Спектральный диапазон чувствительности

350 → 970 нм

Минимальная определяемая длина волны

350нм

Максимальная определяемая длина волны

970нм

Длина

2.7мм

Ширина

2.1мм

Напряжение насыщения

100мВ

Напряжение эмиттер-коллектор

0.5V

Напряжение коллектор-эмиттер

5.5 V

Высота

1.05мм

Информация о товаре

Ambient Light Sensors - Vlambda

A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.

Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

OSRAM Opto Semiconductors SFH 3410-Z Фототранзистор

P.O.A.

OSRAM Opto Semiconductors SFH 3410-Z Фототранзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Spectrums Detected

Infrared

Обнаруженные спектры

Инфракрасный

Максимальный темновой ток

50нА

Угол половинной чувствительности

±60 °

Полярность

NPN

Количество контактов

3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Smart DIL

Размеры

2.7 x 2.1 x 1.05мм

Ток коллектора

20mA

Спектральный диапазон чувствительности

350 → 970 нм

Минимальная определяемая длина волны

350нм

Максимальная определяемая длина волны

970нм

Длина

2.7мм

Ширина

2.1мм

Напряжение насыщения

100мВ

Напряжение эмиттер-коллектор

0.5V

Напряжение коллектор-эмиттер

5.5 V

Высота

1.05мм

Информация о товаре

Ambient Light Sensors - Vlambda

A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.

Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors