OSRAM Opto Semiconductors SFH 3410-Z Фототранзистор

Код товара RS: 912-8299Бренд: ams OSRAMПарт-номер производителя: SFH 3410-Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Spectrums Detected

Infrared

Максимальный темновой ток

50нА

Угол половинной чувствительности

±60 °

Полярность

NPN

Количество контактов

3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Smart DIL

Размеры

2.7 x 2.1 x 1.05мм

Ток коллектора

20mA

Спектральный диапазон чувствительности

350 → 970 нм

Минимальная определяемая длина волны

350нм

Максимальная определяемая длина волны

970нм

Длина

2.7мм

Ширина

2.1мм

Напряжение насыщения

100мВ

Напряжение эмиттер-коллектор

0.5V

Напряжение коллектор-эмиттер

5.5 V

Высота

1.05мм

Информация о товаре

Ambient Light Sensors - Vlambda

A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.

Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors

P.O.A.

OSRAM Opto Semiconductors SFH 3410-Z Фототранзистор

P.O.A.

OSRAM Opto Semiconductors SFH 3410-Z Фототранзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Spectrums Detected

Infrared

Максимальный темновой ток

50нА

Угол половинной чувствительности

±60 °

Полярность

NPN

Количество контактов

3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Smart DIL

Размеры

2.7 x 2.1 x 1.05мм

Ток коллектора

20mA

Спектральный диапазон чувствительности

350 → 970 нм

Минимальная определяемая длина волны

350нм

Максимальная определяемая длина волны

970нм

Длина

2.7мм

Ширина

2.1мм

Напряжение насыщения

100мВ

Напряжение эмиттер-коллектор

0.5V

Напряжение коллектор-эмиттер

5.5 V

Высота

1.05мм

Информация о товаре

Ambient Light Sensors - Vlambda

A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.

Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors