Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Обнаруженные спектры
Инфракрасный, ультрафиолетовый, видимый диапазон
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
8мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
150 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
3 мм (T-1)
Размеры
4 x 4 x 3.1мм
Ток коллектора
20mA
Максимальная определяемая длина волны
940нм
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 940 нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Длина
4мм
Ширина
4мм
Высота
3.1мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Производственная упаковка (Лента )
20
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Лента )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Обнаруженные спектры
Инфракрасный, ультрафиолетовый, видимый диапазон
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
8мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
150 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
3 мм (T-1)
Размеры
4 x 4 x 3.1мм
Ток коллектора
20mA
Максимальная определяемая длина волны
940нм
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 940 нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Длина
4мм
Ширина
4мм
Высота
3.1мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.